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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0723257 (2010-03-12) |
등록번호 | US-8723260 (2014-05-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 237 |
The present disclosure relates to a radio frequency (RF) switch that includes multiple body-contacted field effect transistor (FET) elements coupled in series. The FET elements may be formed using a thin-film semiconductor device layer, which is part of a thin-film semiconductor die. Conduction path
1. A semiconductor die comprising: an insulating layer;a thin-film semiconductor device layer over the insulating layer;a first body-contacted radio frequency (RF) switch having one of an ON state and an OFF state, and a non-operating state and comprising a first plurality of body-contacted field ef
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