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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0455760 (2009-06-04) |
등록번호 | US-8728234 (2014-05-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 30 |
The present invention discloses methods to create higher quality group III-nitride wafers that then generate improvements in the crystalline properties of ingots produced by ammonothermal growth from an initial defective seed. By obtaining future seeds from carefully chosen regions of an ingot produ
1. A method for growing group III nitride crystals, comprising: (a) growing a first group III nitride ingot on a first seed crystal by an ammonothermal method until a radius of curvature of a c-plane lattice of the group III nitride ingot becomes larger than a radius of curvature of a c-plane lattic
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