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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0028562 (2011-02-16) |
등록번호 | US-8735234 (2014-05-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
An improved method of doping a substrate is disclosed. The method is particularly beneficial to the creation of interdigitated back contact (IBC) solar cells. A paste having a dopant of a first conductivity is applied to the surface of the substrate. This paste serves as a mask for a subsequent ion
1. A method of creating adjacent regions of opposite conductivity on a substrate, comprising: applying a paste comprising a dopant of a first species onto a portion of a surface of said substrate, wherein said first species is n-type; implanting ions of a dopant of a second species into said surface
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