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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0662842 (2012-10-29) |
등록번호 | US-8735297 (2014-05-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 193 |
A method for fabricating an anti-fuse memory cell having a semiconductor structure with a minimized area. The method includes providing a reference pattern for the semiconductor structure, and applying a reverse OPC technique that includes inverting selected corners of the reference pattern. The rev
1. A reverse optical proximity correction (OPC) method, comprising: providing a reference pattern of a semiconductor structure, the reference pattern being rectangular in shape;selecting an area of the reference pattern for area reduction by photolithographic distortion;inverting at least one corner
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