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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0767845 (2013-02-14) |
등록번호 | US-8741769 (2014-06-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
Disclosed is a process of making a semiconductor device wherein an insulation layer has a copper plug in contact with the last wiring layer of the device. There may also be a barrier layer separating the copper plug from the insulation layer. There may also be a cap layer over the copper plug to pro
1. A method of forming a semiconductor device comprising: obtaining a semiconductor substrate having a plurality of wiring layers wherein a last wiring layer of the plurality of wiring layers comprises a conductive material;forming an insulation layer on the last wiring layer,forming a via opening i
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