$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Charging-free electron beam cure of dielectric material

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01J-037/304
출원번호 US-0561240 (2012-07-30)
등록번호 US-8741782 (2014-06-03)
발명자 / 주소
  • Dimitrakopoulos, Christos D.
  • Lee, Kam L.
  • Wisnieff, Robert L.
출원인 / 주소
  • International Business Machines Corporation
대리인 / 주소
    Scully, Scott, Murphy & Presser, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 8

초록

An ultra low-k dielectric material layer is formed on a semiconductor substrate. In one embodiment, a grid of wires is placed at a distance above a top surface of the ultra low-k dielectric material layer and is electrically biased such that the total electron emission coefficient becomes 1.0 at the

대표청구항

1. A method for treating a structure with an electron beam, said method comprising: forming a dielectric material layer on a substrate;providing a grid of wires comprising a conductive material at a distance from said dielectric material layer;applying an electrical bias between said grid of wires a

이 특허에 인용된 특허 (8)

  1. Forbes Jones, Robin M.; Kennedy, Richard L., Apparatus and method for clean, rapidly solidified alloys.
  2. Alfred Grill ; Christopher Vincent Jahnes ; Vishnubhai Vitthalbhai Patel ; Laurent Claude Perraud FR, Hydrogenated oxidized silicon carbon material.
  3. Grill Alfred ; Jahnes Christopher Vincent ; Patel Vishnubhai Vitthalbhai ; Perraud Laurent Claude,FRX, Hydrogenated oxidized silicon carbon material.
  4. Drage James S. ; Yang Jingjun ; Choi Dong Kyu,KRX, Low dielectric constant films with high glass transition temperatures made by electron beam curing.
  5. Grill Alfred ; Patel Vishnubhai Vitthalbhai ; Gates Stephen McConnell, Multiphase low dielectric constant material.
  6. Alfred Grill ; Vishnubhai Vitthalbhai Patel ; Stephen McConnell Gates, Multiphase low dielectric constant material and method of deposition.
  7. Alfred Grill ; David R. Medeiros ; Vishnubhai V. Patel, Ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device containing the same.
  8. Grill, Alfred; Medeiros, David R.; Patel, Vishnubhai V., Ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device containing the same.
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트