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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0338639 (2011-12-28) |
등록번호 | US-8758510 (2014-06-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
A method is used for producing an SiC volume monocrystal by sublimation growth. During growth, by sublimation of a powdery SiC source material and by transport of the sublimated gaseous components into the crystal growth region, an SiC growth gas phase is produced there. The SiC volume monocrystal g
1. A method for producing an SiC volume monocrystal by means of sublimation growth, which comprises the steps of: disposing an SiC seed crystal in a crystal growth region of a growth crucible before a beginning of growth;introducing a powdery SiC source material into an SiC storage region of the gro
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