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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0514104 (2010-10-18) |
등록번호 | US-8759951 (2014-06-24) |
우선권정보 | JP-2009-282189 (2009-12-11) |
국제출원번호 | PCT/JP2010/068291 (2010-10-18) |
§371/§102 date | 20120606 (20120606) |
국제공개번호 | WO2011/070855 (2011-06-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 6 |
The present invention provides a method for selectively transferring elements such as monocrystalline Si thin films or elements made of monocrystalline Si from a base substrate (100) onto an insulating substrate without the use of an intermediate substrate. The base substrate (first substrate) (100)
1. A semiconductor device comprising: an insulating substrate; andelements provided on the insulating substrate,the insulating substrate having projections provided at predetermined intervals,the elements being formed directly on the projections by transferring the elements onto the insulating subst
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