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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0774677 (2010-05-05) |
등록번호 | US-8764903 (2014-07-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 27 |
The present invention in one preferred embodiment discloses a new design of HVPE reactor, which can grow gallium nitride for more than one day without interruption. To avoid clogging in the exhaust system, a second reactor chamber is added after a main reactor where GaN is produced. The second react
1. A hydride vapor phase epitaxy reactor for growing a group III-nitride crystalline material, comprising (a) a reactor body formed of a material compatible with reactants for growing the group III-nitride crystalline material;(b) a first gas inlet for introducing a first reactant comprising a halid
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