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특허 상세정보

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SiOC membranes and methods of making the same

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C23F-001/00   
미국특허분류(USC) 216/002; 216/037; 216/067; 216/083; 438/778; 438/784; 438/787
출원번호 US-0061969 (2008-04-03)
등록번호 US-8764993 (2014-07-01)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Haecki, Jenifer
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 8
초록

A method of making a porous SiOC membrane is provided. The method comprises disposing a SiOC layer on a porous substrate, and etching the SiOC layer to form through pores in the SiOC layer. A porous SiOC membrane having a network of pores extending through a thickness of the membrane is provided.

대표
청구항
▼

1. A method of making a porous SiOC membrane, comprising: forming a SiOC layer;disposing the SiOC layer on a porous substrate; andetching the SiOC layer using an etching agent to form through pores in the SiOC layer. 2. The method of claim 1, wherein the etching agent comprises greater than or equal to about 10 percent hydrofluoric acid dissolved in water. 3. The method of claim 1, wherein the etching agent comprises about 10 percent to about 50 percent hydrofluoric acid dissolved in water. 4. The method of claim 1, wherein a thickness of the SiOC layer ...

이 특허에 인용된 특허 (8)

  1. Prochazka Svante (Ballston Lake NY). Amorphous silicon oxycarbide coated silicon carbide or carbon fibers. USP1997025599624.
  2. McCormick Cornelius J. (Hockessin DE). Dielectric composition. USP1989074849379.
  3. Loboda Mark Jon ; Seifferly Jeffrey Alan. Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant. USP2000126159871.
  4. Yau Wai-Fan ; Cheung David ; Jeng Shin-Puu ; Liu Kuowei ; Yu Yung-Cheng. Method of depositing a low k dielectric with organo silane. USP2000046054379.
  5. Baklanov, Mikhail; Shamiryan, Denis; Maex, Karen; Vanhaelemeersch, Serge. Method to produce a porous oxygen-silicon layer. USP2003076593251.
  6. Gudimenko Yuri,CAX ITX M6B 2E8 ; Kleiman Jasha I.,CAX ITX L4J 7C3 ; Cool Grant R.,CAX ITX P4R 1L5 ; Iskanderova Zelina A.,CAX ITX L4J 3W3 ; Tennyson Roderick C.,CAX ITX L0G 1K0. Modification of subsurface region of polymers and carbon-based materials. USP1999095948484.
  7. You Yujian ; Lamola Angelo A. ; Gore Robert H. ; Gallagher Michael K. ; Annan Nikoi. Porous materials. USP2001086271273.
  8. Ahn Kie Y. ; Forbes Leonard. Porous silicon oxycarbide integrated circuit insulator. USP2001116313518.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 2

  1. Sandgren, Glen; Diwanji, Ashish P.; Hopkins, Andrew R.; Sherwood, Walter J.; Dukes, Douglas M.; Land, Mark S.; Benac, Brian L.. High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications. USP2017059657409.
  2. Land, Mark S.; Diwanji, Ashish P.; Hopkins, Andrew R.; Sherwood, Walter J.; Dukes, Douglas M.; Sandgren, Glenn; Benac, Brian L.. Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices. USP2018039919972.

IPC 상위 출원인