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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0891271 (2010-09-27) |
등록번호 | US-8772129 (2014-07-08) |
우선권정보 | JP-2007-132380 (2007-05-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 35 |
A manufacturing method of an SOI substrate which possesses a base substrate having low heat resistance and a very thin semiconductor layer having high planarity is demonstrated. The method includes: implanting hydrogen ions into a semiconductor substrate to form an ion implantation layer; bonding th
1. A manufacturing method of an SOI substrate, the manufacturing method comprising: forming a first insulating layer over a semiconductor substrate;forming a second insulating layer over the first insulating layer;forming an ion introduction layer in the semiconductor substrate by applying an ion be
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