최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0178495 (2008-07-23) |
등록번호 | US-8786057 (2014-07-22) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 6 |
By forming MOSFETs on a substrate having pre-existing ridges of semiconductor material (i.e., a “corrugated substrate”), the resolution limitations associated with conventional semiconductor manufacturing processes can be overcome, and high-performance, low-power transistors can be reliably and repe
1. A semiconductor substrate comprising: a plurality of parallel semiconductor ridges formed on a bulk substrate;a ridge insulator material between each of the plurality of parallel semiconductor ridges, wherein the ridge insulator material is formed between sub-surface heavily doped regions of the
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.