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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0639565 (2009-12-16) |
등록번호 | US-8786086 (2014-07-22) |
우선권정보 | JP-2008-329258 (2008-12-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 13 |
A semiconductor device includes a semiconductor substrate; an insulating film formed over the semiconductor substrate, there being formed in the insulating film a trench that in a sectional view has a stepped shape; and a wiring formed in the trench, wherein the wiring includes, a main portion with
1. A semiconductor device comprising: a semiconductor substrate;a first insulating cap layer formed over the semiconductor substrate;an interlayer insulating film formed over the first insulating cap layer including a via and a trench on the via, the trench including a sidewall of a stepped shape ov
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