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Delivered energy compensation during plasma processing 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G05F-001/10
  • C23C-016/52
  • H01J-037/32
출원번호 US-0328831 (2008-12-05)
등록번호 US-8815329 (2014-08-26)
발명자 / 주소
  • Ilic, Milan
  • File, Darren
출원인 / 주소
  • Advanced Energy Industries, Inc.
대리인 / 주소
    Neugeboren O'Dowd PC
인용정보 피인용 횟수 : 13  인용 특허 : 15

초록

An apparatus and method for controlling an application of power to power a plasma chamber. A detector detects actual power out from the power stage to the plasma chamber during a sampling interval. A compare module compares the actual power out during the sampling interval to a present power setting

대표청구항

1. A method for controlling a power supply configured to supply a power to a plasma chamber during a deposition process within the plasma chamber, comprising: acquiring a user power setting of the power supply, where the user power setting is a starting point for an internal power setting of the pow

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Ilic, Milan, Arc recovery with over-voltage protection for plasma-chamber power supplies.
  2. Ilic, Milan; Shilo, Vladislav V.; Huff, Robert Brian, Arc recovery without over-voltage for plasma chamber power supplies using a shunt switch.
  3. Ilic,Milan; Shilo,Vladislav V.; Siddabattula,Kalyan N. C., DC-DC converter with over-voltage protection circuit.
  4. Johnson Wayne L. ; Parsons Richard, Device and method for detecting and preventing arcing in RF plasma systems.
  5. Tyler, James Scott, High-speed symmetrical plasma treatment system.
  6. Verhoff Stephen H. (Toledo OH) Tackett Garrol (Temperance MI), Ion carburizing.
  7. Ilic,Milan; Huff,Robert B.; McDonough,George W., Method and system for conditioning a vapor deposition target.
  8. Hausmann Gilbert ; Parkhe Vijay ; Lu Chia-Ao ; Jackson Michael S., Method for improved sputter etch processing.
  9. Anwar, Suhail; Park, Chung Hee; Park, Beom Soo; Kim, Han Byoul; Choi, Soo Young; White, John M., Method of avoiding haze formation on surfaces of silicon-containing PECVD-deposited thin films.
  10. Campana-Schmitt, Francimar; Schimanke, Carsten, Method of reducing plasma-induced damage.
  11. Scholl Richard A. ; Christie David J., Plasma generator pulsed direct current supply in a bridge configuration.
  12. Sugiyama Kazuhiko (Nirasaki JPX) Shimizu Masafumi (Yamanashi JPX) Naito Yukio (Kofu JPX) Nishimura Eiichi (Yamanashi JPX) Oshima Kouichi (Yamanashi JPX), Plasma processing apparatus capable of detecting and regulating actual RF power at electrode within chamber.
  13. Fujii Shuitsu,JPX, System for impedance matching and power control for apparatus for high frequency plasma treatment.
  14. Pavate Vikram ; Hansen Keith J. ; Mori Glen ; Narasimhan Murali ; Ramaswami Seshadri ; Nulman Jaim, Target for use in magnetron sputtering of aluminum for forming metallization films having low defect densities and methods for manufacturing and using such target.
  15. Benjamin, Neil; Baldwin, Scott; Jafarian-Tehrani, Seyed Jafar, Voltage control sensor and control interface for radio frequency power regulation in a plasma reactor.

이 특허를 인용한 특허 (13)

  1. Bhutta, Imran Ahmed, Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same.
  2. Bhutta, Imran Ahmed, High speed high voltage switching circuit.
  3. Bhutta, Imran, High voltage switching circuit.
  4. Bhutta, Imran Ahmed, Method for controlling a plasma chamber.
  5. Bhutta, Imran Ahmed, RF impedance matching network.
  6. Bhutta, Imran Ahmed, RF impedance matching network.
  7. Bhutta, Imran Ahmed, RF impedance matching network.
  8. Bhutta, Imran Ahmed, RF impedance matching network.
  9. Mavretic, Anton, RF impedance matching network.
  10. Mavretic, Anton, RF impedance matching network.
  11. Mavretic, Anton, Switching circuit.
  12. Mavretic, Anton, Switching circuit.
  13. Mavretic, Anton, Switching circuit for RF currents.
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