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MIM capacitor in finFET structure

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/8239
출원번호 US-0015559 (2013-08-30)
등록번호 US-8816420 (2014-08-26)
발명자 / 주소
  • Basker, Veeraraghavan S.
  • Leobandung, Effendi
  • Yamashita, Tenko
  • Yeh, Chun-Chen
출원인 / 주소
  • International Business Machines Corporation
대리인 / 주소
    Law Offices of Ira D. Blecker, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 15

초록

A FinFET structure which includes: silicon fins on a semiconductor substrate, each silicon fin having two sides and a horizontal surface; sequential layers of a first layer of titanium nitride, a dielectric layer and a second layer of titanium nitride on the sides and horizontal surface of the silic

대표청구항

1. A FinFET structure comprising: silicon fins on a semiconductor substrate, each silicon fin having two sides and a horizontal surface;sequential layers of a first layer of titanium nitride, a dielectric layer and a second layer of titanium nitride on the sides and horizontal surface of the silicon

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Anderson, Brent A; Bryant, Andres; Nowak, Edward J.; Rankin, Jed H., Fin capacitor.
  2. Anderson, Brent A.; Bryant, Andres; Ellis-Monaghan, John J.; Nowak, Edward J., Fin-type field effect transistor structure with merged source/drain silicide and method of forming the structure.
  3. Anderson, Brent A.; Bryant, Andres; Ellis-Monaghan, John J.; Nowak, Edward J., Fin-type field effect transistor structure with merged source/drain silicide and method of forming the structure.
  4. Anderson,Brent A.; Clark, Jr.,William F.; Nowak,Edward J., Four-bit FinFET NVRAM memory device.
  5. Doyle, Brian S.; Chau, Robert S.; De, Vivek; Datta, Suman; Somasekhar, Dinesh, Increasing the surface area of a memory cell capacitor.
  6. Brederlow,Ralf; Hartwich,Jessica; Pacha,Christian; R철sner,Wolfgang; Schulz,Thomas, Integrated circuit arrangement with capacitor.
  7. Fried,David M.; Nowak,Edward J., Integrated circuit with capacitors having a fin structure.
  8. Xiong, Weize; Marshall, Andrew; Cleavelin, Cloves Rinn; Tigelaar, Howard Lee, Memory device with memory cell including MuGFET and fin capacitor.
  9. Zhu, Huilong, Method for fabrication of fin memory structure.
  10. Basceri, Cem; Graettinger, Thomas M., Method of forming a MIM capacitor with metal nitride electrode.
  11. Di Sarro, James P.; Gauthier, Jr., Robert J.; Lee, Tom C.; Li, Junjun; Mitra, Souvick; Putnam, Christopher S., Non-planar capacitor and method of forming the non-planar capacitor.
  12. Cheng, Kangguo; Doris, Bruce B.; Khakifirooz, Ali; Kulkarni, Pranita; Shahidi, Ghavam G., Stressed Fin-FET devices with low contact resistance.
  13. Weis, Rolf; Schloesser, Till; von Schwerin, Ulrike Gruening, Transistor, memory cell array and method of manufacturing a transistor.
  14. Hareland, Scott A.; Chau, Robert S.; Doyle, Brian S.; Datta, Suman; Jin, Been-Yih, Tri-gate transistor device with stress incorporation layer and method of fabrication.
  15. Chan, Kevin K.; Kanarsky, Thomas Safron; Li, Jinghong; Ouyang, Christine Qiqing; Park, Dae-Gyu; Ren, Zhibin; Wang, Xinhui; Yin, Haizhou, finFETs and methods of making same.

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. Cheng, Kangguo; Xu, Peng, On-chip MIM capacitor.
  2. Cheng, Kangguo; Xu, Peng, On-chip MIM capacitor.
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