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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0471048 (2012-05-14) |
등록번호 | US-8816489 (2014-08-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 33 |
Methods for fabricating integrated circuit devices on an acceptor substrate devoid of circuitry are disclosed. Integrated circuit devices are formed by sequentially disposing one or more levels of semiconductor material on an acceptor substrate, and fabricating circuitry on each level of semiconduct
1. An integrated circuit structure, comprising: a plurality of superimposed levels of integrated circuitry, each level separated from at least one other level by dielectric material;silicon nitride encapsulating the plurality of superimposed levels of integrated circuitry;an acceptor substrate;a sil
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