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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0200800 (2014-03-07) |
등록번호 | US-8828828 (2014-09-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 7 |
At least one drain-side surfaces of a field effect transistor (FET) structure, which can be a structure for a planar FET or a fin FET, is structurally damaged by an angled ion implantation of inert or electrically active dopants, while at least one source-side surface of the transistor is protected
1. A method of forming a semiconductor structure, said method comprising: forming a gate stack including a gate dielectric and a gate electrode on a semiconductor portion in a substrate;forming a structurally damaged region on a drain side of said semiconductor portion by angled ion implantation of
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