최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0608456 (2012-09-10) |
등록번호 | US-8841773 (2014-09-23) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 83 |
A multi-layer interconnect structure for stacked die configurations is provided. Through-substrate vias are formed in a semiconductor substrate. A backside of the semiconductor substrate is thinned to expose the through-substrate vias. An isolation film is formed over the backside of the semiconduct
1. A semiconductor device comprising: a first substrate;a through-substrate via comprising a single continuous structure extending from a first side of the first substrate through the first substrate and protruding from a second side of the first substrate by a first distance, the through-substrate
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.