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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0967832 (2013-08-15) |
등록번호 | US-8846525 (2014-09-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 58 |
Hardmask films having high hardness and low stress are provided. In some embodiments a film has a stress of between about −600 MPa and 600 MPa and hardness of at least about 12 GPa. In some embodiments, a hardmask film is prepared by depositing multiple sub-layers of doped or undoped silicon carbide
1. A method of forming a hardmask film on a semiconductor substrate, the method comprising: receiving the semiconductor substrate in a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process chamber; andforming a high-hardness SixByCz hardmask film having a hardness of greater than about 12 GPa, a
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