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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0154132 (2011-06-06) |
등록번호 | US-8853072 (2014-10-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 15 |
Some embodiments include methods of forming interconnects through semiconductor substrates. An opening may be formed to extend partway through a semiconductor substrate, and part of an interconnect may be formed within the opening. Another opening may be formed to extend from a second side of the su
1. A method of forming an interconnect through a semiconductor substrate, comprising: forming a first opening through a first side of the substrate and only partially through the substrate, the substrate comprising a second side opposite to the first side;forming a first part of an electrically cond
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