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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0273613 (2011-10-14) |
등록번호 | US-8878365 (2014-11-04) |
우선권정보 | JP-2005-204521 (2005-07-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 23 |
A semiconductor device, including: a semiconductor layer; a first conductive layer formed above the semiconductor layer and having a first width; a second conductive layer connected to the first conductive layer and having a second width which is smaller than the first width; an interlayer dielectri
1. A semiconductor device, comprising: a semiconductor layer;a first conductive layer formed above the semiconductor layer and having a first width;a second conductive layer connected to the first conductive layer and having a second width which is smaller than the first width;an interlayer dielectr
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