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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0126816 (2005-05-11) |
등록번호 | US-8901699 (2014-12-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 158 |
Integral structures that block the current conduction of the built-in PiN diode in a junction barrier Schottky (JBS) structure are provided. A Schottky diode may be incorporated in series with the PiN diode, where the Schottky diode is of opposite direction to that of the PiN diode. A series resista
1. A diode comprising: a silicon carbide drift region;a Schottky contact on the silicon carbide drift region and forming a Schottky junction with the silicon carbide drift region; anda silicon carbide junction barrier region disposed within the silicon carbide drift region of the diode, the silicon
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