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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0425870 (2012-03-21) |
등록번호 | US-8921686 (2014-12-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 7 |
A method to fabricate a photovoltaic device includes forming first and second contact regions at the first surface of a semiconductor donor body. A cleave plane may be formed by implanting ions into the donor body, and a lamina that includes the contact regions is cleaved from the donor body at the
1. A method to fabricate a photovoltaic device, the method comprising the steps of: a) providing a semiconductor donor body doped with a first conductivity type, the semiconductor donor body comprising a first dopant concentration and a first surface;b) forming a first contact region at the first su
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