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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-021/302 H01L-021/461 C04B-041/00 H01L-029/786 C04B-035/453 C23C-014/34 H01L-021/02 H01L-029/423 C04B-035/01 C23C-014/56 C04B-035/645 C23C-014/10 B29C-031/00 H01L-029/417 H01L-029/66 C04B-041/80 H01L-029/45 C04B-111/00 |
미국특허분류(USC) | 438/722; 438/240; 438/680; 257/E21.006; 257/E21.007; 257/E21.085; 257/E21.091; 257/E21.126; 257/E21.127; 257/E21.212; 257/E21.304; 257/E21.329; 257/E21.347; 257/E21.17; 257/E21.37 |
출원번호 | US-0922323 (2013-06-20) |
등록번호 | US-8937020 (2015-01-20) |
우선권정보 | JP-2009-260224 (2009-11-13) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 35 |
One object is to provide a deposition technique for forming an oxide semiconductor film. By forming an oxide semiconductor film using a sputtering target including a sintered body of a metal oxide whose concentration of hydrogen contained is low, for example, lower than 1×1016 atoms/cm3, the oxide semiconductor film contains a small amount of impurities such as a compound containing hydrogen typified by H2O or a hydrogen atom. In addition, this oxide semiconductor film is used as an active layer of a transistor.
1. A manufacturing method of a sputtering target, comprising: mixing and baking a plurality of metal oxides to form a sintered body;performing a mechanical processing on the sintered body so as to form a target;cleaning the target; andperforming a heat treatment on the cleaned target. 2. The manufacturing method according to claim 1, wherein the cleaning step is performed by an ultrasonic cleaning. 3. The manufacturing method according to claim 1, wherein a temperature of the heat treatment is 425° C. to 750° C. inclusive. 4. The manufacturing method acc...