최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0715254 (2012-12-14) |
등록번호 | US-8937339 (2015-01-20) |
우선권정보 | JP-2008-114467 (2008-04-24); JP-2009-056915 (2009-03-10) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 3 |
Si(1-v-w-x)CwAlxNv crystals in a mixed crystal state are formed. A method for manufacturing an easily processable Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, a method for manufacturing an epitaxial wafer, a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, and an epitaxial wafer are provided. A method for manufacturing a Si(1-v-w-x)
1. A Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate comprising a Si(1-v-w-x)CwAlxNv layer (0
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.