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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0049762 (2011-03-16) |
등록번호 | US-8946864 (2015-02-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 31 |
Systems and methods for preparing films comprising metal using sequential ion implantation, and films formed using same, are provided herein. A structure prepared using ion implantation may include a substrate; an embedded structure having pre-selected characteristics; and a film within or adjacent
1. An ion-implanted structure comprising: a substrate comprising a first material;an embedded structure comprising a second material embedded within the first material of the substrate; anda substantially continuous film comprising metal implanted within the first material of the substrate, disposed
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