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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0574347 (2011-01-26) |
등록번호 | US-8956884 (2015-02-17) |
국제출원번호 | PCT/US2011/022565 (2011-01-26) |
§371/§102 date | 20120720 (20120720) |
국제공개번호 | WO2011/094302 (2011-08-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 146 |
A non-abrading method to facilitate bonding of semiconductor components, such as silicon wafers, that have micro structural defects in a bonding interface surface. In a preferred method, micro structural defects are removed by forming an oxide layer on the bonding interface surface to a depth below
1. A method of reconditioning a surface of a semiconductor device having a micro structural defect, comprising: a) identifying a micro structural defect in a surface; andb) utilizing wet chemistry methods to remove material from the surface to a depth below the maximum depth of the micro structural
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