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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0057104 (2010-12-09) |
등록번호 | US-8962380 (2015-02-24) |
국제출원번호 | PCT/US2010/059759 (2010-12-09) |
§371/§102 date | 20120813 (20120813) |
국제공개번호 | WO2011/072161 (2011-06-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 95 |
Back contact back junction solar cell and methods for manufacturing are provided. The back contact back junction solar cell comprises a substrate having a light capturing frontside surface with a passivation layer, a doped base region, and a doped backside emitter region with a polarity opposite the
1. A method for the manufacture of a back contact back junction thin solar cell from a crystalline semiconductor layer, the method providing continuous structural support to said crystalline semiconductor layer, the method comprising: forming a porous semiconductor layer on a template, wherein said
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