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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0318944 (2010-05-06) |
등록번호 | US-8975159 (2015-03-10) |
우선권정보 | JP-2009-112658 (2009-05-07) |
국제출원번호 | PCT/JP2010/057774 (2010-05-06) |
§371/§102 date | 20120130 (20120130) |
국제공개번호 | WO2010/128666 (2010-11-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 8 |
A method for manufacturing a bonded wafer having a semiconductor film on a handle substrate involving the steps of: implanting ions into a semiconductor substrate to form an ion-implanted layer; subjecting the surface of at least one of the semiconductor substrate and the handle substrate to a surfa
1. A method for manufacturing a bonded wafer comprising a semiconductor film on a surface of a handle substrate, the method comprising the steps of: implanting ions into a semiconductor substrate from a surface of the semiconductor substrate to form an ion-implanted layer;subjecting at least one of
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