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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0503597 (2009-07-15) |
등록번호 | US-8981427 (2015-03-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 258 |
A device includes a crystalline material within an area confined by an insulator. A surface of the crystalline material has a reduced roughness. One example includes obtaining a surface with reduced roughness by using a planarization process configured with a selectivity of the crystalline material
1. A semiconductor structure comprising: a semiconductor substrate comprising a first semiconductor crystalline material;an insulator having an opening to the semiconductor substrate;a second semiconductor crystalline material within the opening in the insulator and directly adjoining the first semi
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