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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0028181 (2013-09-16) |
등록번호 | US-8987754 (2015-03-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
A highly directional thermal emitter device comprises a two-dimensional periodic array of heavily doped semiconductor structures on a surface of a substrate. The array provides a highly directional thermal emission at a peak wavelength between 3 and 15 microns when the array is heated. For example,
1. A highly directional thermal emitter device, comprising: a two-dimensional periodic array of heavily doped semiconductor structures on a surface of a substrate, wherein the two-dimensional periodic array has a characteristic subwavelength periodicity in each orthogonal direction, anda metal layer
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