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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0612538 (2012-09-12) |
등록번호 | US-9021985 (2015-05-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 71 인용 특허 : 148 |
Embodiments related to hardware and methods for processing a semiconductor substrate are disclosed. One example film deposition reactor includes a process gas distributor including a plasma gas-feed inlet located to supply plasma gas to a plasma generation region within the film deposition reactor a
1. A film deposition reactor for processing a semiconductor substrate using an inductively-coupled plasma (ICP), the film deposition reactor comprising: a process gas distributor including: a support structure;a plasma gas distributor supported by the support structure, the plasma gas distributor co
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