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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0673033 (2012-11-09) |
등록번호 | US-9034764 (2015-05-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 3 |
A method of forming an encapsulated wide trench includes providing a silicon on oxide insulator (SOI) wafer, defining a first side of a first sacrificial silicon slab by etching a first trench in a silicon layer of the SOI wafer, defining a second side of the first sacrificial silicon slab by etchin
1. A method of forming an encapsulated continuous wide trench comprising: providing a silicon on oxide insulator (SOI) wafer;defining a first side of a first sacrificial silicon slab by etching a first trench portion in a silicon layer of the SOI wafer;defining a second side of the first sacrificial
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