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특허 상세정보

Infrared sensing element and infrared imaging device

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) G01J-005/00    H01L-037/02    G01J-005/02    G01J-005/04    G01J-005/34   
미국특허분류(USC) 250/338.1; 257/467; 257/E29.347
출원번호 US-0095441 (2011-04-27)
등록번호 US-9040912 (2015-05-26)
우선권정보 JP-2010-104289 (2010-04-28)
발명자 / 주소
  • Kabasawa, Hidetoshi
  • Wakabayashi, Minoru
출원인 / 주소
  • SONY CORPORATION
대리인 / 주소
    K&L Gates LLP
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 4
초록

An infrared sensing element is provided and includes a substrate, a supporting electrical insulating layer formed on the substrate; a first electrode formed on the supporting electrical insulating layer, a pyroelectric layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the pyroelectric layer. The pyroelectric layer has a light receiving area of 1×102 to 1×104 μm2, has a thickness of 0.8 to 10 μm, and contains therein a compound expressed as Pb(ZrxTi1-x)O3, where 0.57x0.93 as a principal component.

대표
청구항

1. An infrared sensing element comprising: a substrate;a supporting electrical insulating layer formed on the substrate;a first electrode formed on the supporting electrical insulating layer;a pyroelectric layer formed on the first electrode;an insulating layer formed on a side surface of the first electrode and the pyroelectric layer; anda second electrode directly formed on the pyroelectric layer and the insulating layer, one end of the second electrode extending on a side surface of the insulating layer to be connected to a terminal deriving portion f...