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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0407249 (2009-03-19) |
등록번호 | US-9048088 (2015-06-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 15 |
This invention pertains to fabrication of devices. One embodiment is a method of substrate cleaning and electroless deposition of a cap layer for an integrated circuit. The method is performed on a substrate having a surface comprising a metal and dielectric damascene metallization layer. The method
1. A method of depositing a cap layer on a substrate surface, comprising: (A) exposing the substrate surface to a first cleaning solution;after exposing the substrate surface to a first cleaning solution, spinning off the first cleaning solution without drying or dewetting the substrate surface, rin
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