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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0106158 (2011-05-12) |
등록번호 | US-9076839 (2015-07-07) |
우선권정보 | JP-2008-200001 (2008-08-01); JP-2008-200016 (2008-08-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 69 |
An object of an embodiment of the present invention to be disclosed is to prevent oxygen from being taken in a single crystal semiconductor layer in laser irradiation even when crystallinity of the single crystal semiconductor layer is repaired by irradiation with a laser beam; and to make substanti
1. A method for manufacturing an SOI substrate comprising the steps of: irradiating a single crystal semiconductor substrate with ions to form an embrittlement region in the single crystal semiconductor substrate;bonding the single crystal semiconductor substrate and a base substrate with an insulat
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