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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0540969 (2014-11-13) |
등록번호 | US-9112105 (2015-08-18) |
우선권정보 | KR-10-2014-0012538 (2014-02-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 42 |
The nitride semiconductor light emitting device includes a first conductivity-type nitride semiconductor layer, a first superlattice layer disposed on the first conductivity-type nitride semiconductor layer, a pit forming layer disposed on the first superlattice layer and having a plurality of V-sha
1. A nitride semiconductor light emitting device, comprising: a first conductivity-type nitride semiconductor layer;a first superlattice layer disposed on the first conductivity-type nitride semiconductor layer;a pit forming layer disposed on the first superlattice layer and having a plurality of V-
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