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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0244499 (2014-04-03) |
등록번호 | US-9123572 (2015-09-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 197 |
An anti-fuse memory cell having a variable thickness gate oxide. The variable thickness gate oxide is formed by depositing a first oxide over a channel region of the anti-fuse memory cell, removing the first oxide in a thin oxide area of the channel region, and then thermally growing a second oxide
1. A method of forming a variable thickness gate oxide for an anti-fuse transistor, comprising the steps of: growing a first oxide in a channel region of the anti-fuse transistor;removing the first oxide from a thin oxide area of the channel region;thermally growing a second oxide in the thin oxide
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