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연합인증

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Insulated gate bipolar transistor

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-029/732
  • H01L-029/739
  • H01L-029/06
  • H01L-029/10
  • H01L-029/66
  • H01L-029/40
  • H01L-029/08
출원번호 US-0154736 (2014-01-14)
등록번호 US-9153676 (2015-10-06)
우선권정보 EP-11173910 (2011-07-14)
발명자 / 주소
  • Rahimo, Munaf
  • Andenna, Maxi
  • Corvasce, Chiara
  • Kopta, Arnost
출원인 / 주소
  • ABB TECHNOLOGY AG
대리인 / 주소
    Buchanan Ingersoll & Rooney PC
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 5

초록

An IGBT has layers between emitter and collector sides, including a drift layer, a base layer electrically contacting an emitter electrode and completely separated from the drift layer, first and second source regions arranged on the base layer towards the emitter side and electrically contacting th

대표청구항

1. An insulated gated bipolar transistor having layers between an emitter electrode on an emitter side and a collector electrode on a collector side opposite to the emitter side, the insulated gated bipolar transistor comprising: a lowly doped drift layer of a first conductivity type;a collector lay

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Kesler Scott Birk ; Long Jerral Alan, Circuitry for maintaining a substantially constant sense current to load current ratio through an electrical load driving device.
  2. Baliga Bantval Jayant (Raleigh NC) Thapar Naresh I. (Raleigh NC), Depleted base transistor with high forward voltage blocking capability.
  3. Baliga Bantval Jayant, Methods of forming power semiconductor devices having T-shaped gate electrodes.
  4. Akio Nakagawa JP; Yusuke Kawaguchi JP, Semiconductor device.
  5. Inoue, Tomoki; Sugiyama, Koichi; Ninomiya, Hideaki; Ogura, Tsuneo, Semiconductor device with trench gate having structure to promote conductivity modulation.
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