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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0286381 (2014-05-23) |
등록번호 | US-9159830 (2015-10-13) |
우선권정보 | DE-10 2005 054 219 (2005-11-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
In a method for fabricating a field effect transistor, a first source/drain region and a second source/drain region are formed in a substrate. A channel region is formed between the first source/drain region and the second source/drain region. A gate region is formed on the channel region. Micro-cav
1. A field effect transistor, comprising: a substrate;a doped first source/drain region and a doped second source/drain region in the substrate;a channel region between the first source/drain region and the second source/drain region;a gate region on the channel region; anda plurality of discontinuo
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