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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0181817 (2014-02-17) |
등록번호 | US-9196591 (2015-11-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 12 |
A method of forming a semiconductor structure includes forming a recess within a silicon substrate of an IC chip near a circuit of the IC chip. A metal layer is formed in the recess and the IC chip is exposed to an oxygen-containing environment to initiate the oxidation of a portion of the silicon s
1. A method of forming a semiconductor structure, the method comprising: forming a recess within a silicon substrate of an integrated circuit (IC) chip, wherein the recess is located near a circuit of the IC chip;forming a metal layer in a bottom portion of the recess; andexposing the IC chip to an
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