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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0848168 (2013-03-21) |
등록번호 | US-9202987 (2015-12-01) |
우선권정보 | JP-2001-216018 (2001-07-16); JP-2001-299620 (2001-09-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 132 |
The present invention provides a peeling off method without giving damage to the peeled off layer, and aims at being capable of peeling off not only a peeled off layer having a small area but also a peeled off layer having a large area over the entire surface at excellent yield ratio. The metal laye
1. A semiconductor device comprising: a first substrate having flexibility;an adhesive layer comprising resin over the first substrate;a metal oxide layer over the adhesive layer;an insulating layer over the metal oxide layer;a layer containing a transistor over the insulating layer; andan inorganic
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