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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0029896 (2013-09-18) |
등록번호 | US-9224607 (2015-12-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 11 |
A semiconductor device includes a first device region and second device region of opposite polarity. Each device region includes at least a transistor device and associated epitaxy. A high-k barrier is formed to overlay the first device region epitaxy only. The high-k barrier may include a substanti
1. A semiconductor device comprising: a first device region and second device region of opposite polarity, each device region comprising: a transistor device and associated epitaxy;a high-k barrier overlying the first device region epitaxy only, the high-k barrier comprising: a substantially horizon
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