최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0379608 (2010-06-22) |
등록번호 | US-9228275 (2016-01-05) |
우선권정보 | CN-2009 1 0053568 (2009-06-22) |
국제출원번호 | PCT/CN2010/074204 (2010-06-22) |
§371/§102 date | 20120413 (20120413) |
국제공개번호 | WO2010/149017 (2010-12-29) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
An apparatus with two-chamber structure for growing silicon carbide (SiC) crystals is disclosed. The apparatus comprises a sample feed chamber and a crystal growth chamber, both of which are separately connected with each other by a vacuum baffle valve and connected with a vacuum system. The crystal
1. An apparatus with a two-chamber structure for growing silicon carbide crystals, the apparatus comprising: a crystal growth chamber, a sample feed chamber, a vacuum baffle valve, a growth crucible, thermal insulation material, a vacuum system, a gas intake system and a delivery means, wherein:the
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.