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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0169266 (2014-01-31) |
등록번호 | US-9231122 (2016-01-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 182 |
The present disclosure generally relates to a Schottky diode that has a substrate, a drift layer provided over the substrate, and a Schottky layer provided over an active region of the drift layer. The metal for the Schottky layer and the semiconductor material for the drift layer are selected to pr
1. A Schottky diode comprising: a drift layer having a first surface associated with an active region and an edge termination region substantially adjacent the active region, the active region being provided on a mesa in the drift layer and including a mesa guard ring;a Schottky layer over the activ
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