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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0555186 (2014-11-26) |
등록번호 | US-9231167 (2016-01-05) |
우선권정보 | KR-10-2006-0025454 (2006-03-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 40 |
An insulation structure for high temperature conditions and a manufacturing method thereof. In the insulation structure, a substrate has a conductive pattern formed on at least one surface thereof for electrical connection of a device. A metal oxide layer pattern is formed on a predetermined portion
1. An insulation structure for high temperature conditions comprising: a substrate;a conductive pattern disposed on the substrate and having an upper surface divided into a first region and a second region, the conductive pattern partially exposes an upper surface of the substrate; anda metal oxide
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