최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0887895 (2013-05-06) |
등록번호 | US-9231223 (2016-01-05) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 152 |
The present invention provides of a three-dimensional bicontinuous heterostructure, a method of producing same, and the application of this structure towards the realization of photodetecting and photovoltaic devices working in the visible and the near-infrared. The three-dimensional bicontinuous he
1. A method of producing a light-sensing system on a semiconductor substrate having at least one integrated circuit device defined thereon, the method comprising: forming a nanomaterial having at least one semiconductor quantum dot over the integrated circuit device; andforming a three-dimensional b
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.