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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0471718 (2014-08-28) |
등록번호 | US-9234279 (2016-01-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 14 |
A vapor deposition system includes a deposition chamber having a substrate positioned therein. The system includes at least one vessel containing at least one silsesquioxane precursor. The system includes at least one vessel containing at least one wetting agent or surfactant. The system includes at
1. A vapor deposition system comprising: a deposition chamber having a substrate positioned therein;at least one vessel comprising at least one silsesquioxane precursor;at least one vessel comprising at least one wetting agent or surfactant;at least one vessel comprising a carboxylic acid or nitroge
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