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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0882441 (2011-11-03) |
등록번호 | US-9245915 (2016-01-26) |
우선권정보 | FR-10 04314 (2010-11-03) |
국제출원번호 | PCT/FR2011/000587 (2011-11-03) |
§371/§102 date | 20130429 (20130429) |
국제공개번호 | WO2013/064753 (2013-05-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 5 |
The invention relates to a radiation detection device including a silicon substrate and an infrared photodiode made of a material optimized for infrared detection. The substrate comprises a photosensitive area, readout circuits, and interconnects formed in an electrically-insulating material. The in
1. A radiation detection device comprising: a silicon layer provided with a front surface and with a back surface;first and second readout circuits formed on the front surface of the silicon layer;a photodiode formed on the front surface of the silicon layer and connected to the first readout circui
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