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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0140807 (2013-12-26) |
등록번호 | US-9245941 (2016-01-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
A YBCO-based conductive material can be used as an electrode, which can contact a dielectric such as a high k dielectric. Alternatively, a material with a narrow conduction band can be used as an electrode, which can contact a dielectric such as a high k dielectric. By aligning the dielectric with t
1. A method comprising forming a first layer on a substrate, wherein the first layer comprises a high k dielectric material,wherein the high k dielectric material comprises a conduction band minimum;forming a second layer in contact with the first layer, wherein the second layer is operable as an el
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